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027-87164778
采用進(jìn)口MOQ-DFB芯片結(jié)合先進(jìn)的封裝工藝制作而成，可內(nèi)置半導(dǎo)體制冷器（TEC）和熱敏電阻（NTC）;半導(dǎo)體制冷器高精度溫度控制下，激光器功率高穩(wěn)定、波長(zhǎng)高穩(wěn)定的優(yōu)勢(shì)，使得激光器在激光氣體分析領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。帶制冷DFB同軸激光器。
027-87164778額定極限工作條件：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 參數(shù)值 | 單位 |
| 激光二極管正向電流 | If(LD) | 100 | mA |
| 激光二極管反向電壓 | Vr(LD) | 2 | V |
| 背光探測(cè)器工作電流 | If(PD) | 2 | mA |
| 背光探測(cè)器反向電壓 | Vr(PD) | 20 | V |
| 致冷器工作電流 | ITEC | 0.7 | A |
| 致冷器工作電壓 | VTEC | 1.1 | V |
| 工作溫度 | Topr | -20～+70 | ℃ |
| 儲(chǔ)存溫度 | Tstg | -40～+85 | ℃ |
| 引線焊接溫度/時(shí)間 | Tsld | 260/10 | ℃/s |
技術(shù)參數(shù)：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | Min | Typ | Max | 單位 |
| 出光功率 | PO | CW | 3 | 5 | - | mW |
| 閾值電流 | Ith | CW | - | 12 | 18 | mA |
| 工作電流 | Iop | CW,5mW | - | - | 50 | mA |
| 工作電壓 | Vop | CW,5mW | - | 1.5 | 2 | V |
| 斜率效率 | η | CW,5mW | 0.05 | 0.1 | - | mW/mA |
| 峰值波長(zhǎng) | λc | CW,5mW,25℃ | λc-1.5 | λc | λc+1.5 | nm |
| 邊模抑制比 | SMSR | CW,5mW | 35 | - | - | dB |
| 光譜寬度(20dB) | ?λ | CW,5mW | - | 0.2 | nm | |
| 波長(zhǎng)穩(wěn)定度 | λs | CW,5mW,25℃ | -0.1 | +0.1 | nm | |
| 波長(zhǎng)隨溫度變化漂移系數(shù) | Δλ/T | 穩(wěn)定工作電流 | 0.1 | ℃ | ||
| 波長(zhǎng)隨電流變化漂移系數(shù) | Δλ/I | 穩(wěn)定工作電流 | 0.01 | nm/mA | ||
| 熱敏電阻 | Rth | Ttherm = 25ºC | 9.5 | 10 | 10.5 | k? |
說(shuō)明：
| 氣體檢測(cè)中,根據(jù)HITRAN提供的吸收譜線數(shù)據(jù),同一種氣體通常幾個(gè)吸收峰,客戶應(yīng)先根據(jù)自己的系統(tǒng)需要選擇最佳中心波長(zhǎng)位置. 氣體吸收參考表: |
氣體吸收參考表：
| 氣體成分 | 吸收波長(zhǎng) |
| HF | 1268.7nm、1278nm、1273nm |
| HBr | 1343nm |
| H2O | 1368nm、1392nm、1800nm |
| NH3 | 1512nm、1531nm |
| C2H2 | 1532.68nm |
| N2O | 1521nm |
| CO | 1567nm、2332nm |
| H2S | 1576nm、1578nm、1590nm |
| CO2 | 1580nm、1998nm、2004nm |
| C2H4 | 1620nm、1627nm |
| CH4 | 1647nm、1650.9nm、1653.7nm、1660nm |
| HCl | 1742nm |
引腳定義：
常規(guī)引腳定義（N型）
| 管腳號(hào) | 功能 | |
| 1 | TEC+ | |
| 2 | LD+ | |
| 3 | R | |
| 4 | R | |
| 5 | LD- | |
| 6 | TEC- |
外觀尺寸圖：
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